Morphological and Optical Properties of Porous Gallium Nitride (Gan) Fabricated by Photoelectrochemical P

Loading...
Thumbnail Image
Date
2015-01
Authors
SOOK FONG, CHEAH
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
Kajian mengenai fabrikasi filem nipis GaN berliang melalui proses fotoelektrokimia (PEC) telah dilaporkan. Objektif utama kerja penyelidikan ini adalah untuk mengkaji ciri-ciri morfologi dan optik filem nipis GaN berliang yang difabrikasi. Dua set filem nipis GaN, iaitu GaN terdop yang tidak sengaja (UID) (<1017 cm-3) dan GaN terdop silikon (Si) (1~3×1018 cm-3), telah digunakan sebagai bahan mentah untuk punaran PEC GaN. Filem nipis GaN berliang yang difabrikasi telah dicirikan oleh mikroskop elektron imbasan pancaran medan (FESEM), spektroskopi fotoluminasi (PL) dan spektroskopi pantulan penuh dikecilkan inframerah (IR-ATR). Kajian mengenai voltan punaran mendedahkan bahawa GaN berliang yang difabrikasi daripada filem nipis GaN UID menghasilkan struktur berliang nipis (sebanyak 0.3 μm) yang bercorak bulatan seragam. Untuk GaN berliang yang difabrikasi daripada filem nipis GaN terdop Si, struktur liang heksagon yang agak seragam telah dihasilkan dalam keseluruhan lapisan terdop (sebanyak 1 μm) pada voltan punaran yang lebih tinggi. Keputusan PL menunjukkan keamatan luminasi struktur GaN yang disediakan daripada filem nipis GaN UID telah dipertingkatkan 4 kali ganda berbanding dengan GaN asas. Walau bagaimanapun, keamatan luminasi turun naik dapat diperhatikan dalam spektrum PL GaN terdop Si. Pengurangan keamatan luminasi untuk GaN terdop Si berliang pada penggunaan voltan yang tinggi disebabkan oleh penyusutan pembawa di dalam struktur berliang.
Description
Keywords
Porous Gallium Nitride (Gan) , Photoelectrochemical P
Citation