Pengenalpastian sistem menggunakan pendekatan model fuzzi sugeno

Loading...
Thumbnail Image
Date
2007-07
Authors
Abdul Rani, Rozina
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
Penyelidikan untuk menghasilkan penderia pH dengan menggunakan pendekatan Transistor Kesan Medan - sensitif terhadap ion (ISFEn telah dilakukan. ISFET mempunyai potensi yang baik untuk diimplimentasikan dalam bidang perubatan dan juga pertanian. Selain daripada saiznya yang kecil dan kos pembuatan yang rendah, ISFET berasaskan silikon boleh disepadukan bersama-sama litar elektronik dan juga Sistem Biokimia-Mikro-Elektro-Mekanikal (BioMEMS). ISFET-sensorCA dan ISFET-sensorlB telah difabrikasi di MIMOS Berhad menggunakan teknologi proses piawai CMOS 1 ~m. Silikon nitrida, SiaN4 digunakan sebagai bahan sensitif ion dan dimendapkan pad a bahagian get terbuka ISFET menggunakan teknik pemendapan wap kimia (CVD). ISFET berfungsi sebagai penderia pH dengan mengenalpasti kadar penumpuan ion hidrogen yang menentukan tahap pH sesuatu larutan. Tindakbalas ion di antara ion hidrogen dan lapisan sensitif ion mengakibatkan perubahan aliran arus saliran pad a get ISFET dan tindakan ini memberikan nilai voltan tertentu pad a litar antaramuka ISFET. Nilai voltan yang terhasil di hantar ke mikropengawal PIC16F877A dan dipamerkan pada paparan cecair kristal (LCD)._Bagi tujuan analisa ciri dan fungsi ISFET, elektrod rujukan AglAgCI dalam bentuk pepejal dan simpang berganda, dan sampel larutan penampan pH4, pH7 dan pH10 digunakan semasa eksperimen dilakukan. Penggunaan pelbagai jenis elektrod rujukan bertujuan mengenalpasti kebolehan setiap elektrod rujukan mengawal kestabilan upaya elektrokimia kerana ia turut memberi kesan terhadap operasi ISFET. Semasa ujikaji, kadar sensitiviti ISFET yang baik iaitu 58.17 mV/pH diperolehi dengan menggunakan rawatan HF. Penyelidikan ini turut melibatkan beberapa perisian tambahan iaitu L-Edit, MEMsPro, T -Spice, 8-Edit, MicroBasic dan juga MasView.
Description
Keywords
Menghasilkan penderia pH dengan menggunakan , pendekatan Transistor Kesan Medan
Citation