Fabrikasi dan pencirian polihablur silikon untuk peranti semikonduktor oksida logam (MOS)

Simple item page
dc.contributor.authorSalleh, Saafie
dc.date.accessioned2016-11-18T01:56:04Z
dc.date.available2016-11-18T01:56:04Z
dc.date.issued1996-01
dc.description.abstractDalam kajian ini, saput ntplS silikon telah disediakan dengan Teknik Penyejatan Vakum yang dilengkapi dengan Senapang Elektron untuk peleburan dan pengewapan silikon (ketulenan 99.9995%) pada suhu substrat 4000C Mikrostruktur silikon yang termendap di atas substrat silikon yang dilapisi silikon dioksida yang nipis adalah bergantung kepada kon.disi pemendapan terutamanya suhu substrat. Pada suhu substrat yang cukup rendah, tidak ada sebarang struktur hablur yang terbentuk semasa pemendapan dan saput nipis adalah amorfus silikon. Pembentukan silikon polihablur dicapai melalui proses Penghabluran Fasa Pepejal (SPC) atau sepuhlindap. Saput nipis silikon polihablur tersebut dianalisakan dengan Kaedah Pembe~an Sinar-X. Penghabluran amorfus silikon iaitu pertumbuhan butiran halus hablur silikon tersebut didapati berlaku setelah sampel disepuhlindapkan pada suhu tinggi iaitu melebihi 8000C dengan kemunculan satah <220>, <311> dan <620>. Perubahan fasa amorfus kepada fasa polihablur dijelaskan Jagi melalui fotograf Mikroskop Pengimbasan Elektron (SEM). Melalui spektroskopi Sinar-X tenaga tersebar (EDX), didapati sampel-sampel yang disediakan adalah tulen dan tidak mengandungi bendasing. Pembentukan silikon polihablur disokong kuat oleh kejatuhan nilai rintangan keping yang berubah daripada 150.79 X 103 ke 313.85 kO 10 setelah melalui sepuhlindap selama 8 jam pada suhu 8000C ± SoC Nilai rujukan yang biasa digunakan adalah antara 100 ke 200 kD/O. Fasa peralihan didapati berlaku dengan jelas dalam julat suhu sepuhlindap antara 7000C hingga 800oC. Pengukuran kapasitans-voltan (C-V) telah menunjukkan voltan ambang peranti get polihablur silikon (-0.82 V) adalah kurang berbanding dengan volt an allllH1ng peranti get.. aluminium (-0.89 V)en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/3121
dc.subjectPembentukan silikon polihablur dicapai melalui prosesen_US
dc.subjectPenghabluran Fasa Pepejal (SPC) atau sepuhlindap.en_US
dc.titleFabrikasi dan pencirian polihablur silikon untuk peranti semikonduktor oksida logam (MOS)en_US
dc.typeThesisen_US
Files
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download
Collections
Pusat Pengajian Sains Fizik - Tesis