Pemeriksaan Filem Sio2 Yang Dienapkan Di Atas Susbtrat Si Melalui Teknik Pirolisis Semburan Ultrabunyi
Loading...
Date
2010-04
Authors
Nugroho, Cahyo Budi
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Universiti Sains Malaysia
Abstract
Pirolisis semburan ultrabunyi (PSU) telah digunakan untuk mengenapkan filem SiO2 di atas substrat Si. Dalam rangka pengenapan oksida di atas Si, reaktor USP telah direkabentuk dan dibina. Prapenanda yang digunakan sebagai sumber oksida ini adalah berdasarkan larutan Tetraetoksilana dan disediakan dengan kaedah sol gel. Setelah disediakan, prapenanda diatomkan untuk menjadi kabus dan disemburkan di atas permukaan Si yang panas mengunakan gas Argon. Kesan suhu substrat (60, 90, 120, 150oC), jarak muncung ke substrat (1, 1.5, 2, 3 cm), jujukan semburan (5, 4, 3, 2, 1 min sembur dengan 1 min bertangguh), dan diameter muncung (0.1, 0.3, 0.5, 0.7, 1.0 cm) terhadap sifat fizikal filem telah dikaji secara sistematik. Kumpulan fungsian kimia telah ditentukan oleh spekstrokopi Inframerah Transformasi Fourier (FTIR). Morfologi permukaan dicirikan mikroskop imbasan elektron pacaran medan. Komposisi unsur filem ditentukan oleh spektroskopi sinar-X serakan tenaga (EDX). Dengan mengubah parameter kajian, semua filem menunjukkan kumpulan ikatan Si-O, Si-Si dan hidroksil dari hasil analisis FTIR tapi ikatan karbonil tidak dijumpai. Keputusan ini disokong oleh analisis EDX, iaituhanya unsur Si dan O yang dirakam. Morfologi permukaan filem mengalami perubahan seiring dengan pengubahsuaian parameter, daripada bentuk kepingan hingga kepada filem padat. Struktur kimia daripada semua filem yang terhasil disusun oleh ikatan Si-O dan Si-OH namun ikatan karbonil tidak terkesan.
Description
Keywords
Pirolisis semburan ultrabunyi telah digunakan , untuk mengenapkan filem SiO2 di atas substrat Si